首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2024年6月5日 粉末制备 通过多种合成方法获得SiC粉末, 例如艾奇逊工艺或化学气相沉积 (化学气相沉积). 粉末的粒度经过仔细表征, 纯度, 和其他特性以确保合适的烧结行为.2017年12月5日 采用人工精选或者合成的高纯度原材料,经过精确工艺控制及烧结工艺制备而成的新型特种结构陶瓷材料具备高温强度高、抗氧化性强、耐磨损性好、热稳定性佳、热 自蔓延合成 β-SiC 粉制备碳化硅陶瓷
了解更多
1.1 碳化硅粉末的制备方法. 碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。. 碳化硅的具体生产工艺包括. 加工和粉碎： 2022年10月21日 无压烧结碳化硅造粒粉的原料配方、制备方法及废料回收制粉工艺. 1.技术领域. 2.本发明属于无压烧结碳化硅造粒粉技术领域，具体涉及一种无压烧结碳化硅造粒粉的原料配方、制备方法及废料回收制粉工 无压烧结碳化硅造粒粉的原料配方、制备方法及废料
了解更多
2021年7月30日 简介：本技术提供了一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，属于陶瓷技术领域，包括以下步骤：S1、选取碳化硅粉备用，S2、将选取的碳化硅粉搅拌混料 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进行系统综 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
了解更多
2024年6月6日 技术实现思路. 1、本发明的目的在于提供一种无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。 2、为实现上述目的，本发明提供 2010年12月17日 2014年5月21日-超精密研磨、高纯线状β碳化硅粉及制备方法 ...完全能够满足无压烧结陶瓷用高纯亚纳米碳化硅微粉...使碳化硅粉料在烧结过程中能更加充分的发生 无压碳化硅生产粉料制备-厂家/价格-采石场设备网
了解更多
本发明公开了一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺,将碳化硅超细粉料和助烧剂,分散剂,粘结剂,水等按照比例加入到卧式球磨机内研磨,利用喷雾干燥塔进行干燥处理,得到混合均匀的颗 2020年3月24日 中国电子科技集团公司第二研究所的李斌等采用自蔓延法合成单晶生长用碳化硅粉体，实验中发现高真空条件下合成的碳化硅粉体纯度优于通载气条件下合成的碳化 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
了解更多
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...2022年4月24日 与常压烧结相比，热压烧结可以在相对较低的温度下达到致密化烧结，从而形成良好的显微结构并改善其力学性能。同时采用烧结助剂与热压时，可显著缩短碳化硅的烧结时间和降低烧结温度。因此，有许 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先
了解更多
2013年4月8日 院（部、中心）材料科学与工程学院. 姓名 课程名称特种陶瓷材料课程设计. 设计题目名称无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. 起止时间 2012年05月20日到2011年06月5日. 成绩. 指导教师签名. 北方民族大学教务处制. 目录. TOC\o"1-3"\h\z\uu0014u0013HYPERLINK\l ...无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计.-SiC是共价键材料，很难烧结。传统的SiC 耐火材料和发热体一般是采用添加硅酸铝质或者高铝质材料作为结合剂来进行烧结，但是致密度不高，强度和其他力学性能也不好。经过近一二十年的发展有着以下工艺 ...无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. - 百度文库
了解更多
Explore the advancements in semiconductor materials, focusing on the third-generation wide bandgap semiconductors represented by SiC.2020年8月27日 SiC陶瓷的制备通常有以下几种方法：. (1)无压烧结. 无压烧结法制备的SiC陶瓷，其致密度通常可达到98%，这主要是因为添加的烧结助剂，如铝溶胶、硅溶胶等，在高温下形成液相促进烧结，从而促进了陶瓷的致密化。. Omori等以氧化物作为烧结助剂，在较低的烧结 ...碳化硅制备常用的5种方法
了解更多
2014年3月26日 碳化硅 生产过程中产生的问题：. ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的 2011年9月27日 特种陶瓷课程设计-无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺计.doc. 然界中几乎不存在，只在陨石中偶有发现。. 1893年美国人. 有机前驱体法等。. 前主要用于磨料、耐火材料和发热元件的使用。. 1974年美国科. 添加剂作原料，通过无压烧结工艺制得了致密的碳化硅 特种陶瓷课程设计-无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺计 - 豆丁网
了解更多
2022年5月20日 碳化硅的制备及应用最新研究进展. 王嘉琳1, 刘世凯1*,黄威2 ,徐天兵2 ,宋志键1 ,陈颖鑫1 ,孙亚光1. 河南工业大学材料科学与工程学院,河南 郑州 ...2018年2月8日 颗粒级配对S-SiC陶瓷的维氏硬度的影响如 图6 所示。随着粗粉加入量的增加, 硬度近似呈先高后低的趋势。粗粉加入量为60wt%的C60具有最高的硬度, 达到 (25.44±0.79) GPa;粗粉加入量为65wt%的C65的硬度为 (24.11±0.70) GPa, 相比于C0的硬度 ( (23.41±0.51) GPa), 分别提升 8.7%与 3.0% ...颗粒级配对固相烧结碳化硅陶瓷的影响
了解更多
2018年11月7日 由于热压工艺自身的缺点. 而无法应用在商业化生产中，因此无压烧结成. 了高性能碳化硅陶瓷工业化首选的制备方法。. 3、碳化硅烧结反应工艺流程图. 1. 1974年美国GE公司通过在高纯度β. －SiC细粉中同时加入少量的B和C，采. 用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得 ...本工艺碳化硅陶瓷原料主要有碳化硅、碳化硼、油酸、酚醛树脂、乙醇、水、Daram-c及磨介等。碳化硅陶瓷料的制备是按照配方比例进行配料的，本工艺所用料的配方比例如表3.1所示。并按配方称量所需物质按下述操作进行料的制备。 图4.2 喷雾干燥其原理图特种陶瓷课程设计论文无压烧结碳化硅陶瓷防弹片生产工艺设计.
了解更多
压过程中应控制卸压速度并设定保压程序[12]。在冷等静压成型结合无压烧结工艺制备复杂结 构碳化硅陶瓷的过程中,碳化硅素坯未经过烧结时强 度较低,薄壁结构在加工过程中易开裂;采用无压烧 结工艺制备碳化硅陶瓷的收缩率一般高达16%~2022年1月17日 由于碳化硅陶瓷的难烧结性，其烧结通常需在很高温度（2300 ～2400℃）下进行，并且需要加入少量添加剂 才可致密。. 故在对SiC陶瓷的各项性能影响尽可能小的条件下，最大程度地降低其烧结温度是目前研究的主题。. 本文采用亚微米级碳化硅细粉，加入少量 ...碳化硅陶瓷的制备及烧结温度对其密度的影响
了解更多
2016年3月13日 无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结等。无压烧结的 材料，其高温强度可一直维持到1600℃，是陶瓷材料中高温强度 最好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中最好的。SiC陶 2 瓷的缺点是断裂韧性较低，即脆性较大，为此近几年以SiC陶瓷2021年11月15日 目前碳化硅陶瓷的制备技术主要有反应烧结、常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、放电等离子烧结、振荡压力烧结。. 1. 反应烧结. 反应烧结碳化硅的工艺流程首先是将碳源和 碳化硅粉 进行混合，经注浆成型，干压或冷等静压成型制备出坯体，然后进行渗硅 ...碳化硅陶瓷七大烧结工艺-会议展览-资讯-中国粉体网
了解更多
2013年4月8日 热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的碳化硅材料,其高温强度可一直维持到1600，是陶瓷材料中高温强度最好的材料。 因而是制造密封环的理想材料。 它与石墨材料组合配对时，其摩擦系数比氧化铝陶瓷和硬质合金小，因而可用于高PV值，特别是输送强酸、强碱的工况中使用。无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计-穿晶断裂扩散传质液相烧结1850~2000强度,断裂韧性较高晶粒细小,均匀成等轴晶状沿晶断裂粘性流动固相烧结的缺点主要为: 需要较高的烧结温度,对原粉材料的纯度要求较高,并且烧结体断裂韧性较低,有较强 ...无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计 - 百度文库
了解更多
2019年6月12日 结合其自身碳化硅单晶生长炉的生产能力，实现了第三代碳化硅（SIC）半导体从设备到原料的完全自主生产。 高纯 SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料，单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备，要想生长出高质量的SiC单晶，在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下，还需要对生产工艺进行设计、调试和 ...知乎专栏 - 随心写作，自由表达 - 知乎
了解更多
为了SiC的致密烧结，SiC粉料的比表面积应在10m2／g以上，且氧含量尽可能低。B的添加量在0.5％左右，C的添加量取决于SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量与SiC粉料中的氧含量成正比。 二、碳化硅陶瓷的烧结பைடு நூலகம் 1、无压本发明公开了一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺,将碳化硅超细粉料和助烧剂,分散剂,粘结剂,水等按照比例加入到卧式球磨机内研磨,利用喷雾干燥塔进行干燥处理,得到混合均匀的颗粒料,将颗粒料准确称量投入到捏合机中,按照比例加水,进行混炼即可得到具有 ...一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺 - 百度学术
了解更多
2021年12月11日 2.2 生产工艺流程的基本步骤 无压烧结碳化硅陶瓷的制备过程主要包括： （1）将 10um的 SiC 颗粒粉磨加工成 1.0um； （2）对原料进行化学提纯，主要是去除 Si 和 SiO2； （3）料浆制备：同时加入添加剂； （4）喷雾干燥制粒：粒度在 60 ～ 80 目之间； （5）用漏斗法 ...2019年12月13日 目前，碳化硅陶瓷的烧结方法主要有热压烧结、无压烧结、反应烧结、重结晶烧结、微波烧结和放电等离子烧结法等。. 热压烧结. 热压烧结是把 碳化硅粉 末置于模具中，在加温的同时施加20~50MPa的轴向压力，这样有助于增大颗粒之间的接触、扩散和流动 【汇总】碳化硅陶瓷六大烧结工艺-要闻-资讯-中国粉体网
了解更多
四、碳化硅的制备方法 4.1 碳化硅粉料的制备 4.1.1SiO2-C 将无压力烧结 SiC 再进行热压烧结,使 SiC 型件的密度达到 理论密度的 99%以上,这种新工艺叫做“热等静压烧结的致 密”(HIPS-SiC)。HP-SiC 是目前获得最佳机械性能的合适方 法。参考文献2019年4月9日 SiC坯体可以预先车削成任何形状，且烧结时坯体收缩率近在3％以内，故可以生. 产精确尺寸、几何形状复杂的部件，费用低。. 在用上述胶态成型＋无压烧结／反应烧结SiC烧结工艺生产高性能、形状复杂. SiC陶瓷遇到的一个共性问题是：高固相含量（＞50v01％）和 ...高性能碳化硅的成型与烧结工艺分析-(7945) - 豆丁网
了解更多
2023年6月25日 3 重结晶碳化硅的应用及研究进展. 3.1高温窑具. 重结晶碳化硅制品主要用作窑具，有节能、增加窑的有效容积、缩短烧成周期、提高窑的生产效率、经济效益高等优点，还可用作烧嘴喷嘴头、陶瓷辐射加热管、元件保护管 (特别是用于气氛炉)等。. 3.2 电热元 2021年12月30日 反应烧结碳化硅的优势是烧结温度低、生产成本低、材料致密化程度较高，碳与碳化硅的骨架可以预先车削成任何形状，且烧结时坯体的收缩仅在 3%以内，这有利于产品尺寸的控制，大大减少了成品的磨削量特别适合大尺寸复杂形状结构件的制备。碳化硅陶瓷，SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC...你分得清吗 ...
了解更多
2023年10月7日 1前言12工艺流程22.1工艺的选择2粉料的制备2成型方式2烧结方式32. 2工艺流程图43生产过程简述4原料配比4生产工艺4浆料的制备过程5造粒及粉料性能检测5成型6烧结6后续机械加工处理65主要设备简介75. 1电子天平75. 2超声波无压烧结主要采用电加热法。电加热发热体根据不同要求有三种： 耐热合金 电阻丝，最高加热温度1100℃，一般使用温度≤1000℃；碳化硅电阻棒，加热最高温度1550℃，一般使用温度≤1450℃，二硅化钼 电阻棒，在氧化性气氛中最高使用温度1700℃，一般使用温度≤1600℃，在 还原性气氛 中1700℃可较长 ...无压烧结_百度百科
了解更多