首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术 2023年10月20日 5月12日，浙江大学科创中心-乾晶半导体联合实验室已成功研制出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片。值得一提的是， 盘点国内碳化硅产业进展，与海外企业究竟差距多少？
了解更多
2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一 2023年9月20日 纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注,其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械 纳米碳化硅的制备与应用研究进展
了解更多
2021年7月14日 成果简介. 碳化硅（SiC）晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。 但其晶体生长极其困 2022年1月1日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好 、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛 地应. 用于磨料磨具、陶瓷、冶金 、 半导体、耐火材料等领 域。 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、 Recent Research Progress in Preparation and
了解更多
摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域.然而,由于碳化硅为强共价键化合 碳化硅的制备及应用最新研究进展 认领 被引量： 1. Recent Research Progress in Preparation and Application of Silicon Carbide. 在线阅读 下载PDF. 引用 收藏 分享. 摘要 碳化硅的制备及应用最新研究进展-【维普期刊官网】- 中文 ...
了解更多
2024年4月3日 碳化硅（SiC x ）薄膜沉积工艺主要分为三大类：（1）化学气相沉积（CVD）及其变体，包括等离子体增强CVD（PE-CVD）； (2)物理气相沉积(PVD)，包 2023年2月15日 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展. 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - 电子工程专辑 EE ...
了解更多
2024年5月9日 超1300亿！. 2024年数十个碳化硅项目进展一览（附长图）. 深度解析汽车音响功放和智能座舱电源应用 重磅！. 智能驾驶与半导体技术研讨会（7月18日,上海）. 2024年以来，SiC产业延续了2023年的火热态势，企业围绕技术研发、签单合作、投融资、IPO、产 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展-展望未来，随着科技的不断进步和碳化硅陶瓷材料研究的深入，相信其在各个领域的应用将会更加广泛。 我们也期待更多的创新制备技术和性能优化手段的出现，为碳化硅陶瓷材料的发展注入新的活力。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展_百度文库
了解更多
2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...2024年5月24日 谈一谈碳化硅单晶技术发展动态与趋势——访天津理工大学功能晶体研究院徐永宽副院长. 中国粉体网讯 在半导体产业链中，以先进陶瓷为代表的关键零部件是支撑半导体设备实现先进制造的重要载体，也是目前国产化替代的重要领域。. 同时，以碳化硅为代表 谈一谈碳化硅单晶技术发展动态与趋势——访天津理工大学 ...
了解更多
2023年12月4日 安森美 、Wolfspeed、 罗姆 、 博世 等海外碳化硅巨头相继宣布投资和扩产计划。. 与此同时，国内产业链也在加速建设，40多家炭化企业的硅相关项目取得新进展。. 海外巨头忙于扩产. 从碳化硅产业链来看，主要包括衬底、外延、器件设计、器件制造、 封装 论文合集 SiC最新研究进展. 2022-06-15 13:26. 发布于：北京市. 碳化硅 (silicon carbide，SiC) 作为第三代半导体材料，具有比硅 (Si)更优越的性能。. 不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特 论文合集 SiC最新研究进展_材料_电子_碳化硅
了解更多
3国内外研究进展[8—33】.3.1美国 美国的UTOS(United technologies of optical system)从20世纪80年代初开始研究反应烧结碳化硅反射镜的制造技术,成功地研制出了一种较为成熟的注浆成型反应烧结SiC,即CERAFORM SiC。该工艺首先将1~10tan的SiC微粉与2022年8月11日 摘要大功率电子器件的理想电子材料, 近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断, 碳化硅在新能源汽车、 光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据而且也是整个产业链中 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
了解更多
2023年1月20日 传统制造一般采用烧结-后加工或净尺寸成型-后烧结两种技术路径制造复杂异型的SiC陶瓷材料及其构件，然而都存在较大不足与缺点。. 近年来，陶瓷材料增材制造 (3D打印) 技术发展迅速，为复杂异型的SiC 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域.然而,由于碳化硅为强共价键化合物,且具有低的扩散系数,导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难.因此,大量研究工作通过烧结技术的研究 ...国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展
了解更多
2023年12月6日 1、全球碳化硅行业市场规模. 碳化硅的优势是其高效率、低能耗和耐高温的特性，这些优点使得碳化硅成为新一代功率器件的理想选择。. 在电动汽车、可再生能源和工业自动化等应用的推动下，碳化硅的需求量不断增加。. 数据显示，2022年全球碳化硅行业市 碳化硅泡沫陶瓷现状与研究进展 (学报) 该方法基本思路是:首先将有机泡沫浸渍到陶瓷料浆中,然后经过干燥、烧成使有机泡沫脱离母体就可以获得泡沫陶瓷。. 通过控制浆料性能,优化无机粘结剂体系,严格控制浆料浸渍工艺过程,可以制备高性能的泡沫陶瓷制品 ...碳化硅泡沫陶瓷现状与研究进展(学报)_百度文库
了解更多
2024年1月24日 碳化硅作为一种化学成分较为单一的无机化工原料，其相关的产品标准较少，多为碳化硅的化学分析标准及 检测 标准。. 目前现行的国内外碳化硅产品标准有GB/T 2480《普通磨料碳化硅》，GOST 26327《碳化硅磨料 技术规范》和SR 5064《碳化硅》。. 2.1 我国碳化硅产品 ...2021年7月21日 要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。 山西烁科经过反复钻研攻关，最终完全掌握了这项技术，打破了国外垄断，实现了高纯度碳化硅单晶的商业化量产。现在，山西烁科碳化硅半导体材料产能国内第一，市场占有率超过50%。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会-新华网
了解更多
2023年7月8日 现在6英寸向8英寸扩径的行业趋势明确，如果我们国内设备厂商仍大幅提升6英寸衬底设备产能将面临“投产即落后”的问题。. 所以设备厂商在本阶段应该重点突破和布局8英寸衬底设备产能，才能实现弯道超车。. 碳化硅市场竞争格局. 目前而言，在碳化硅衬底 ...2018年9月18日 自矢岛教授在实验室利用先驱体转化法成功制备碳化硅纤维后，日本、美国等国家的材料制造公司尝试利用先驱体转化法将碳化硅纤维进行工业化生产。. 日本碳公司在1980年首次采用先驱体转化法制备碳化硅纤维，但尚未形成工业化生产水平。. 1985年该公司 碳化硅纤维国内外研究进展
了解更多
2022年3月18日 2、性能特征. 氮化铝 (AlN)具有高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数、与硅匹配好等特性，不但用作结构陶瓷的烧结助剂或增强相，尤其是在近年来大火的陶瓷电子基板和封装材料领域，其性能远超氧化铝。. 3、性能参数. 表：氮化铝主要性能参数. 2023年9月20日 摘 要. 纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注,其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械工业、电子工业和生物陶瓷等领域。. 本文在国内外相关文献的基础上,重点介绍了纳米SiC 纳米碳化硅的制备与应用研究进展
了解更多
国内外碳化硅反射镜及系统研究进展 认领 被引量： 21. 国内外碳化硅反射镜及系统研究进展. 摘要 对几种常用反射镜材料的物理性能进行了比较,对最有发展前途的反射镜材料——碳化硅的诸多特点进行了归纳,详细介绍了国内外碳化硅反射镜制备、加工方面的 ...2024年4月17日 摘要: 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点.本文综述了碳化硅衬底机械磨抛加工技术和化学反应磨抛加工技术的研究进展，对比 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势
了解更多
2024年2月27日 随着国内外对碳化硅材料需求的持续增长，中国的碳化硅衬底产业预计将进一步发展，不仅在技术和产能上取得进步，也在全球供应链中扮演越来越重要的角色。. 三、 国内碳化硅产业链布局. 从衬底、外延、设计、制造，到器件、模组，包括最后的终端应用 ...国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展-热压烧结法：热压烧结法是在加压和高温条件下，使碳化硅粉末颗粒之间发生固相反应，实现快速烧结致密化。这种方法制备的碳化硅陶瓷材料具有极高的致密度和优异的力学性能，但设备成本高，生产效率较低。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展_百度文库
了解更多
2023年2月1日 在尺寸、 良率、产能等方面中国衬底企业明显落后于国外企业. 电型碳化硅衬底市场规模将增至21.6亿美元受下游民用领域的持续景气, 如新能源汽 . 与光伏,导电型SiC 衬底市场规模不断扩容。 根据Yole 数据,2018 年,全球导电型SiC 衬底市场规模为1.7 亿美 2020年5月19日 在低中压领域碳化硅外延已经相对比较成熟，未来方向主要就是低成本化。 【分享主题】碳化硅主题报告（五）碳化硅外延技术进展及机遇 【分享时间】4月16日（周四）15：00-16：00 【分享嘉宾】钮应喜 芜湖启迪半导体有限公司技术总监、高级工程师 ...直播回顾 【图文实录】碳化硅外延技术进展及机遇_器件
了解更多
摘要：. 碳化硅 (SiC)是制作高温,高频,大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车,光伏产业,高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大.与硅半导体产业不同,碳化硅 ...第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎 2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一 2021年8月24日 五、国内外碳化硅产业发展现状51碳化硅产业发展历程碳化硅国内外生产工艺及技术进展
了解更多